مقاله مشخصه یابی لایه های نازک اکسید روی آلائیده با ایندیم، تهیه شده به روش افشانه پایرولیزز تحت فایل ورد (word) دارای 5 صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد مقاله مشخصه یابی لایه های نازک اکسید روی آلائیده با ایندیم، تهیه شده به روش افشانه پایرولیزز تحت فایل ورد (word) کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه و مراکز دولتی می باشد.

این پروژه توسط مرکز مرکز پروژه های دانشجویی آماده و تنظیم شده است

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله مشخصه یابی لایه های نازک اکسید روی آلائیده با ایندیم، تهیه شده به روش افشانه پایرولیزز تحت فایل ورد (word) ،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن مقاله مشخصه یابی لایه های نازک اکسید روی آلائیده با ایندیم، تهیه شده به روش افشانه پایرولیزز تحت فایل ورد (word) :

سال انتشار: 1387

محل انتشار: شانزدهمین همایش انجمن بلور شناسی و کانی شناسی ایران

تعداد صفحات: 5

چکیده:

فیلمهای نازک اکسید روی غیر آلائیده وآلایش یافته با ایندیم با استفاده از تکنیک افشانه پایرولیزز تهیه می شوند. در این مقاله اثر ترکیب تدریجی کاتیونهای ایندیم در ساختار اکسید روی در خواص اپتیکی ، الکتریکی و ساختاری فیلمهای اکسید روی آلائیده با ایندیم مطالعه م شود . جهت رشد غالب فیلمهای اکسید روی راستای( 002 ) می باشد که با ورود ایندیم به شبکه بلوری راستای ( 002 ) حذف گشته و سه راستای 100 101 110 فاز غالب 100 استفاده از پراش اشعه X مشاهده شده است . بررسی ساختاری لایه ها با درصدهای مختلف آلایش با استفاده از پراش پرتو X حاوی دو نتیجه می باشد: اول آنکه در درصد آلائیدگی کمتر فاز غالب در جهت گیری صفحات بلوری تغییر نکرده اما شدت آن کاهش یافته است. ذکر این نکته ضروری به نظر می رسد که در آلایش 1% علی رغم عدم تغییر آنچنانی د راستای رشد غالب 002 خواص الکتریکی بهبود قابل ملاحضه ای یافته است. دوم آنکه در صورتیکه به دنبال یافتن راستاهای جدید بلوری باشیم می باید توجه خود را به لایه های تهیه شده در درصد آلائیدگی بیشتر معطوف نماییم . در درصد آلائیدگی بالاتر فاز غالب از ( 002 ) به 110 ) تغییر می کند . بررسی خواص الکتریکی و اپتیکی ایده آل ترین لایه های اکسید روی آلائیده با ایندیم به ترتیب مقاومت سطحی و طیف عبوری در ناحیه مرئی 77 % را نشان می دهد که نشانگر کاربرد بالای این لایه ها در ساخت قطعات اپتوالکترونیکی است.